G.Skill – 4 GB DDR3-1600 (1x 4 GB) werkgeheugen

SKU: 1110472

F3-1600C11S-4GIS

Apple Shopping Event

Hurry and get discounts on all Apple devices up to 20%

Sale_coupon_15

$47.71

18 People watching this product now!
  • Pick up from the Woodmart Store

To pick up today

Free

  • Courier delivery

Our courier will deliver to the specified address

2-3 Days

Free

  • DHL Courier delivery

DHL courier will deliver to the specified address

2-3 Days

Free

  • Warranty 1 year
  • Free 30-Day returns

Payment Methods:

Description

Deze geheugenmodule heeft een capaciteit van 4 GB (één module van 4 GB) en is geschikt voor systemen met een DDR3 geheugenbus van 1600 MHz.

Specification

Overview

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

Processor

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

Display

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

RAM

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

Storage

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

Video Card

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

Connectivity

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

Features

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

Battery

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

General

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4719692000347
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GIS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht78 gram
Geheugentype

Customer Reviews

0 reviews
0
0
0
0
0

There are no reviews yet.

Be the first to review “G.Skill – 4 GB DDR3-1600 (1x 4 GB) werkgeheugen”

Your email address will not be published. Required fields are marked *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5