G.Skill – Value 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) werkgeheugen
G.Skill – Value 16 GB DDR4-2666 (2x 8 GB) werkgeheugen $304.33
Back to products
G.Skill – AEGIS 16 GB DDR3-1600 (2x 8 GB) werkgeheugen
G.Skill – AEGIS 16 GB DDR3-1600 (2x 8 GB) werkgeheugen $210.62
G.Skill – 4 GB DDR3-1600 (1x 4 GB) werkgeheugen - Image 1
Click to enlarge

G.Skill – 4 GB DDR3-1600 (1x 4 GB) werkgeheugen

SKU: 1044712

F3-1600C11S-4GNS

Apple Shopping Event

Hurry and get discounts on all Apple devices up to 20%

Sale_coupon_15

$45.29

Compare
Add to wishlist
12 People watching this product now!
  • Pick up from the Woodmart Store

To pick up today

Free

  • Courier delivery

Our courier will deliver to the specified address

2-3 Days

Free

  • DHL Courier delivery

DHL courier will deliver to the specified address

2-3 Days

Free

  • Warranty 1 year

More details

  • Free 30-Day returns

More details

Payment Methods:

Description

Deze geheugenmodule heeft een capaciteit van 4 GB (één module van 4 GB) en is geschikt voor systemen met een DDR3 geheugenbus van 1600 MHz.

Specification

Overview

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

Processor

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

Display

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

RAM

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

Storage

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

Video Card

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

Connectivity

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

Features

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

Battery

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

General

Merk
Capaciteit
TypeDDR3
EAN4711148599610
FabrikantcodeF3-1600C11S-4GNS
Module1 stuk(s)
BouwvormDIMM
OpbouwEnkelzijdig
Aansluiting240-pin
Spanning1,5 volt
StandaardDDR3-1600 (PC3-12800)
Fysieke kloksnelheid800 MHz
Timings > CAS Latency (CL)11
Timings > RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11
Timings > RAS-Precharge-Time (tRP)11
Timings > Row-Active-Time (tRAS)28
Overige informatieDouble Data Rate 3 geheugentechnologie. Verstuurt net als DDR2 geheugen tweemaal per klokcyclus data. Het verschil met DDR2 geheugen is de frequentie. Deze is hoger en dat geeft in theorie hogere bandbreedte. De bouwvorm van dit geheugen is een 240-polige
Gewicht4 gram

Customer Reviews

0 reviews
0
0
0
0
0

Reviews

Clear filters

There are no reviews yet.

Be the first to review “G.Skill – 4 GB DDR3-1600 (1x 4 GB) werkgeheugen”

Your email address will not be published. Required fields are marked *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5

Related Products
Hot New
Compare
Quick view
Add to wishlist

Apple MacBook Pro 16″ M1 Pro

In stock

$2,999.00
Select options This product has multiple variants. The options may be chosen on the product page
SKU: 30876
Size155×312.6x221x2 mm